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《半導體乾蝕刻技術》

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  作者介紹

  
  
  
  
  
  野尻一男（Nojiri Kazuo）
  
  ■1973年群馬大學工學部電子工學科畢業。
  ■1975年群馬大學大學院工學研究科碩士課程修畢。
  ■1975年進入日立製作所。在半導體事業部從事CVD、元件整合、乾蝕刻的研究開發。尤其是關於ECR電漿蝕刻、充電損傷，進行先驅的研究。而且擔任技術開發的領導，歷任許多經理職務。
  ■2000年進入Lam Research公司擔任董事?CTO至今。
  
  主要受獎
  ■1989年以「有磁場微波電漿蝕刻技術的開發與實用化」受獎大河內紀念賞。
  ■1994年以「低溫乾蝕刻設備的開發」受獎機械振興協會賞通產大臣賞。
  
  主要著作
  《先端電氣化學》（丸善）共著
  《半導體???????????????????》(?????社）共著
  
  
  
  





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  譯者介紹

  
  
  
  
  
  倪志榮（Ni, Chih-Jung)
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  ■1988年國立清華大學畢業
  
  
  
  
  
  ■1991年中日交流協會留日獎學生
  
  
  
  
  
  ■1993年日本東京大學工學院碩士
  
  
  
  
  
  ■2014年中部科學園區模範勞工
  
  
  
  
  
  ■曾任地球村美日語中心日語講師
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  現職華邦電子公司模組技術發展部經理，從事DRAM與Flash的製程研發。
  
  
  
  
  

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  序言
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  譯者序
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  第１章半導體積體電路的發展與乾蝕刻技術
  
  
  
  
  
  1.1 乾蝕刻的概要
  
  
  
  
  
  1.2 關於乾蝕刻的評鑑參數
  
  
  
  
  
  1.3 在大型積體電路上乾蝕刻技術所扮演的角色
  
  
  
  
  
  參考文獻
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  第２章乾蝕刻的機制
  
  
  
  
  
  2.1 電漿的基礎
  
  
  
  
  
  1 電漿是什麼
  
  
  
  
  
  2 電漿的各物理量
  
  
  
  
  
  3 電漿中的碰撞反應過程
  
  
  
  
  
  2.2 離子鞘以及離子鞘內的離子行為
  
  
  
  
  
  1 離子鞘與Vdc
  
  
  
  
  
  2 離子鞘內的離子散射
  
  
  
  
  
  2.3 蝕刻製程的建構方法
  
  
  
  
  
  1 乾蝕刻的反應過程
  
  
  
  
  
  2 非等向性蝕刻的機制
  
  
  
  
  
  3 側壁保護過程
  
  
  
  
  
  4 蝕刻率
  
  
  
  
  
  5 選擇比
  
  
  
  
  
  6 總結
  
  
  
  
  
  參考文獻
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  第３章各種材料的蝕刻
  
  
  
  
  
  3.1 閘極蝕刻
  
  
  
  
  
  1 Poly-Si閘極蝕刻
  
  
  
  
  
  2 晶圓面內CD均勻度的控制
  
  
  
  
  
  3 WSi2／Poly-Si閘極蝕刻
  
  
  
  
  
  4 W／WN／Poly-Si閘極蝕刻
  
  
  
  
  
  5 Si基板的蝕刻
  
  
  
  
  
  3.2 SiO2蝕刻
  
  
  
  
  
  1 SiO2蝕刻的機制
  
  
  
  
  
  2 SiO2蝕刻的關鍵參數
  
  
  
  
  
  3 孔洞系列的蝕刻
  
  
  
  
  
  4 SAC蝕刻
  
  
  
  
  
  5 Spacer蝕刻
  
  
  
  
  
  3.3 連線蝕刻
  
  
  
  
  
  1 Al連線蝕刻
  
  
  
  
  
  2 Al連線的防腐蝕處理技術
  
  
  
  
  
  3 其它連線材料的蝕刻
  
  
  
  
  
  3.4 總結
  
  
  
  
  
  參考文獻
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  第４章乾蝕刻設備
  
  
  
  
  
  4.1 乾蝕刻設備的歷史
  
  
  
  
  
  4.2 圓筒型電漿蝕刻機
  
  
  
  
  
  4.3 CCP電漿蝕刻機
  
  
  
  
  
  4.4 磁電管RIE
  
  
  
  
  
  4.5 ECR電漿蝕刻機
  
  
  
  
  
  4.6 ICP電漿蝕刻機
  
  
  
  
  
  4.7 乾蝕刻設備的實例
  
  
  
  
  
  4.8 靜電吸盤
  
  
  
  
  
  1 靜電吸盤的種類以及吸附原理
  
  
  
  
  
  2 晶圓溫度控制的原理
  
  
  
  
  
  參考文獻
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  第５章乾蝕刻損傷
  
  
  
  
  
  5.1 導入Si表層的損傷
  
  
  
  
  
  5.2 充電損傷
  
  
  
  
  
  1 充電損傷的評鑑方法
  
  
  
  
  
  2 充電的發生機制
  
  
  
  
  
  3 各種蝕刻設備的充電評鑑與減低方法
  
  
  
  
  
  4 起因於圖形的閘極氧化層破壞
  
  
  
  
  
  參考文獻
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  第６章新蝕刻技術
  
  
  
  
  
  6.1 Cu 鑲嵌蝕刻
  
  
  
  
  
  6.2 Low-k蝕刻
  
  
  
  
  
  6.3 使用多孔型Low-k的鑲嵌連線
  
  
  
  
  
  6.4 金屬閘極／High-k蝕刻
  
  
  
  
  
  6.5 FinFET蝕刻
  
  
  
  
  
  6.6 雙重圖形定義
  
  
  
  
  
  6.7 用於3D IC的蝕刻技術
  
  
  
  
  
  參考文獻
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  第７章乾蝕刻技術今後的課題與展望
  
  
  
  
  
  7.1 關於乾蝕刻的技術革新
  
  
  
  
  
  7.2 今後的課題與展望
  
  
  
  
  
  7.3 作為工程師的心理準備
  
  
  
  
  
  參考文獻